Top-seeded solution growth of three-inch-diameter 4H-SiC using convection control technique

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标题	Top-seeded solution growth of three-inch-diameter 4H-SiC using convection control technique 采用对流控制技术的三英寸直径4H-SiC顶部晶种溶液生长相关领域播种材料科学石墨对流流量（数学）不稳定性机械复合材料热力学物理
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.03.006
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2014.03.006 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Kazuhiko Kusunoki; Nobuhiro Okada; Kazuhito Kamei; Koji Moriguchi; Hironori Daikoku; et al 出版日期：2014-03-17
求助人	yuxin 在 2024-10-27 14:35:24 发布自北京，悬赏 10 积分
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