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 Low-temperature preparation of SiO2/Si(100) interfaces using a two-step remote plasma-assisted oxidation-deposition process 两步远程等离子体辅助氧化沉积工艺低温制备SiO2/Si（100）界面
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Tetsuji Yasuda; Y. Ma; S. Habermehl; G. Lucovsky 出版日期：1992-01-27 |
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