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Review of Recent Developments in Growth of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on 4H-SiC by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
等离子体辅助分子束外延在4H-SiC上生长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研究进展
相关领域
材料科学
分子束外延
光电子学
晶体管
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工程物理
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外延
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其它 |
期刊:IEICE Transactions on Electronics 作者:A. Corrion 出版日期:2006-07-01 |
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