标题 |
Monolithic integration of light-emitting diodes and power metal-oxide-semiconductor channel high-electron-mobility transistors for light-emitting power integrated circuits in GaN on sapphire substrate
用于蓝宝石衬底GaN发光功率集成电路的发光二极管和功率金属氧化物半导体沟道高电子迁移率晶体管的单片集成
相关领域
光电子学
材料科学
高电子迁移率晶体管
发光二极管
晶体管
氮化镓
二极管
外延
半导体
蓝宝石
宽禁带半导体
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光学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Zhongda Li; John Waldron; Theeradetch Detchprohm; Christian Wetzel; R. F. Karlicek; et al 出版日期:2013-05-13 |
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