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[求助补充材料]
 GaN nanocrystals obtained by Ga and N implantations and thermal treatment under N2 into SiO2/Si and SiNx/Si wafers 通过在SiO2/Si和SiNx/Si晶片中注入Ga和N并在N2下热处理获得的GaN纳米晶
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期刊：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms 作者：L. Aggar; Djamel Bradai; Yousf Islem Bourezg; M. Abdesselam; A.C. Chami; et al 出版日期：2020-11-02 |
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