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标题
Impact of oxide/4H-SiC interface state density on field-effect mobility of counter-doped n-channel 4H-SiC MOSFETs
氧化物/4H-SiC界面态密度对反掺杂n沟道4H-SiC MOSFETs场效应迁移率的影响
相关领域
材料科学 兴奋剂 电子迁移率 场效应晶体管 氧化物 金属 分析化学（期刊） MOSFET 栅氧化层 阈值电压 场效应 晶体管 光电子学 化学 电压 电气工程 工程类 色谱法 冶金
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac4555
DOI
10.35848/1347-4065/ac4555 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Takuma Doi; Shigehisa Shibayama; Mitsuo Sakashita; Noriyuki Taoka; Mitsuaki Shimizu; et al
出版日期：2022-02-01
求助人
Jun 在 2024-12-18 18:46:04 发布自上海，悬赏 10 积分
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