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 15.7 A 32Mb RRAM in a 12nm FinFet Technology with a 0.0249μm2 Bit-Cell, a 3.2GB/S Read Throughput, a 10KCycle Write Endurance and a 10-Year Retention at 105°C 15.7采用12nm FinFet技术的32Mb RRAM，具有0.0249 μ m2位单元、3.2 Gb/S读取吞吐量、10k循环写入耐久性和105°C下10年保留时间
相关领域
吞吐量
电阻随机存取存储器
计算机科学
位（键）
操作系统
计算机网络
电气工程
无线
工程类
电压
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| 其它 |
期刊： 作者：Yi‐Cheng Huang; S. C. Liu; H. W. Chen; Hsin-Chang Feng; Chih-Feng Li; et al 出版日期：2024-02-18 |
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