标题 |
High-quality vertically aligned InAs nanowires grown by molecular-beam epitaxy using Ag–In alloy segregation
Ag-In合金偏析分子束外延生长高质量垂直取向InAs纳米线
相关领域
纳米线
材料科学
分子束外延
纤锌矿晶体结构
光电子学
透射电子显微镜
堆积
外延
纳米技术
合金
量子点
复合材料
图层(电子)
冶金
物理
锌
核磁共振
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DOI | |
求助人 | |
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