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 Strong impact of the initial III/V ratio on the crystalline quality of an AlN layer grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy 初始III/V比对射频等离子体辅助分子束外延生长AlN层晶体质量的强烈影响
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期刊：Applied Physics Express 作者：Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto; Jun Suda 出版日期：2016-01-07 |
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