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Comprehensive Schottky Barrier Height Behavior and Reliability Instability with Ni/Au and Pt/Ti/Pt/Au on AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中Ni/Au和Pt/Ti/Pt/Au的综合肖特基势垒高度行为和可靠性不稳定性
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
欧姆接触
肖特基势垒
光电子学
反向漏电流
肖特基二极管
晶体管
泄漏(经济)
压力(语言学)
电气工程
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其它 |
期刊:Micromachines 作者:Surajit Chakraborty; Tae-Woo Kim 出版日期:2022-01-04 |
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