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 Engineering the electronic and magnetic properties of d0 2D dichalcogenide materials through vacancy doping and lattice strains 通过空位掺杂和晶格应变设计d0 2D二硫族化物材料的电子和磁性
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期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：Lei Ao; Anh Pham; Hang Xiao; Xiaotao Zu; S. Li 出版日期：2016-01-01 |
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