Engineering the electronic and magnetic properties of d0 2D dichalcogenide materials through vacancy doping and lattice strains

空位缺陷 凝聚态物理 材料科学 兴奋剂 磁矩 铁磁性 单层 磁性半导体 从头算 格子(音乐) 结晶学 纳米技术 化学 物理 声学 有机化学
作者
Lei Ao,Anh Pham,Hang Xiao,Xiaotao Zu,S. Li
出处
期刊:Physical Chemistry Chemical Physics [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:18 (10): 7163-7168 被引量:16
标识
DOI:10.1039/c5cp07548c
摘要

The effects of different vacancy defects in 2D d0 are investigated systematically using first principle methods.
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