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 Understanding rectifying and nonlinear bipolar resistive switching characteristics in Ni/SiNx/p-Si memory devices 了解Ni/SiNx/p-Si存储器件中的整流和非线性双极电阻开关特性
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期刊：RSC Advances 作者：Sungjun Kim; Yao‐Feng Chang; Byung‐Gook Park 出版日期：2017-01-01 |
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