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 Design and Development of p-GaN Gate HEMT with Schottky Source Extension for Improved Short-Circuit Reliability 具有肖特基源极扩展的p-GaN栅极HEMT的设计与开发，以提高短路可靠性
相关领域
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期刊： 作者：Jingjing Yu; Junjie Yang; Yanlin Wu; Teng Li; Jiawei Cui; et al 出版日期：2024-06-02 |
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