Coexistence of volatile and non-volatile resistive switching characteristics in NbOx memristor regulated by electron irradiation-induced surface oxygen vacancies

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标题	Coexistence of volatile and non-volatile resistive switching characteristics in NbOx memristor regulated by electron irradiation-induced surface oxygen vacancies 电子辐照诱导表面氧空位调节NbOx忆阻器中挥发性和非挥发性电阻开关特性的共存相关领域记忆电阻器辐照氧气材料科学光电子学电阻式触摸屏电子束处理纳米技术化学电气工程物理有机化学核物理学工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.162295
DOI	10.1016/j.apsusc.2025.162295 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Zhihu Dong; Libing Qian; Qifeng Li; Zhe Liu; Jiacheng Guo; et al 出版日期：2025-01-02
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