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 Initial electrical properties of tantalum oxide resistive memories influenced by oxygen defect concentrations 氧缺陷浓度对氧化钽电阻存储器初始电学性能的影响
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yuanlin Li; Atsushi Tsurumaki‐Fukuchi; Masashi Arita; Yasuo Takahashi 出版日期：2021-03-05 |
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