| 标题 |
 Investigation of Surface and Interface Morphology of Thermally Grown SiO<sub>2</sub> Dielectrics on 4H-SiC(0001) Substrates 4H-SiC（0001）衬底上热生长SiO2电介质的表面和界面形貌研究
相关领域
材料科学
氧化物
薄脆饼
透射电子显微镜
电介质
形态学（生物学）
热氧化
表面粗糙度
表面光洁度
梯田（农业）
图层（电子）
复合材料
光电子学
纳米技术
冶金
历史
考古
生物
遗传学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science Forum 作者：Takuji Hosoi; Kohei Konzono; Yusuke Uenishi; Shujiro Mitani; Yoshiaki Nakano; et al 出版日期：2011-03-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
Grayball
浦肯野
nozero
pcr163
从容芮
醉书生
NJD
CAOHOU
JPH1990
子凡
复杂书竹
Oracle
MchemG
shinysparrow
Erika
brian0326
Xiaoxiao
FL
科研小民工
qq1083716237
皖公网安备34019202002308
