标题 |
On-state performance enhancement of AlGaN/GaN Fin-HEMTs by using arcuate sidewalls
利用弧形侧墙提高TGA/GaNFin-HEMTs的通态性能
相关领域
跨导
材料科学
鳍
光电子学
电容
电压
晶体管
电气工程
化学
电极
复合材料
工程类
物理化学
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其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Yilin Chen; Qing Zhu; Meng Zhang; Min-Han Mi; Jiejie Zhu; et al 出版日期:2024-08-05 |
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