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 Emission-Line Width and α-Factor of 850-nm Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on InGaAs/AlGaAs Quantum Wells 基于InGaAs/AlGaAs量子阱的850nm单模垂直腔面发射激光器的发射线宽和α因子
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光学
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物理
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期刊：Semiconductors 作者：S. A. Blokhin; M. A. Bobrov; A. A. Blokhin; A. G. Kuzmenkov; A. N. Vasil’ev; et al 出版日期：2018-02-07 |
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