GaN MOS-HEMT Using Ultra-Thin Al 2 O 3 Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition

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标题	GaN MOS-HEMT Using Ultra-Thin Al 2 O 3 Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition 原子层沉积超薄Al 2 O 3介质GaN MOS-HEMT 相关领域高电子迁移率晶体管跨导材料科学原子层沉积光电子学栅极电介质电介质制作栅氧化层晶体管泄漏（经济）图层（电子）电气工程纳米技术医学替代医学电压病理工程类经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1088/0256-307x/24/8/072
DOI	10.1088/0256-307x/24/8/072 doi
其它	期刊：Chinese Physics Letters 作者：Yue Yuanzheng; Yue Hao; Qian Feng; Jincheng Zhang; Xiaohua Ma; et al 出版日期：2007-07-26
求助人	叶子在 2025-04-01 00:15:46 发布自浙江，悬赏 10 积分
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