标题 |
Memory Switching and Threshold Switching in a 3D Nanoscaled NbO X System
三维纳米级NbO X系统中的存储器切换和阈值切换
相关领域
神经形态工程学
材料科学
电阻随机存取存储器
光电子学
锡
非线性系统
物理
拓扑(电路)
电气工程
计算机科学
电压
人工神经网络
工程类
量子力学
机器学习
冶金
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Qing Luo; Xumeng Zhang; Jie Yu; Wei Wang; Tiancheng Gong; et al 出版日期:2019-04-17 |
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