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 SnSe/MoS2 van der Waals Heterostructure Junction Field‐Effect Transistors with Nearly Ideal Subthreshold Slope 具有近理想亚阈值斜率的SnSe/MoS2范德华异质结场效应晶体管
相关领域
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分子
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| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Jian Guo; Laiyuan Wang; Yiwei Yu; Peiqi Wang; Yu Huang; et al 出版日期：2019-10-16 |
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