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Enhancement of the quality of mc-Si ingot grown by vacuum directional solidification furnace with growth rate increase reducing the cost of the wafer for PV application: Carbon and oxygen Analysis
通过增加生长速率来提高真空定向凝固炉生长的mc-Si锭的质量以降低光伏应用晶片的成本:碳和氧分析
相关领域
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期刊:Vacuum 作者:Sugunraj Sekar; M. Srinivasan; P. Ramasamy 出版日期:2024-11-07 |
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