NIR-triggered logic gate in MXene-modified perovskite resistive random access memory

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标题	NIR-triggered logic gate in MXene-modified perovskite resistive random access memory MXene修饰钙钛矿电阻随机存取存储器中的近红外触发逻辑门相关领域材料科学钙钛矿（结构）电阻随机存取存储器电阻式触摸屏光电子学电气工程计算机科学化学工程电压操作系统工程类
网址	https://doi.org/10.1039/d3tc03847e
DOI	10.1039/d3tc03847e doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Rongbin Li; Yan Sun; Qianyu Zhao; Hao Xin; Haowei Liang; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	jerry 在 2025-01-10 16:03:54 发布自浙江，悬赏 10 积分
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