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 Influence of gate voltage dependent piezoelectric polarization on damage effect of GaN HEMT induced by high power electromagnetic pulse 栅压相关压电极化对高功率电磁脉冲诱导GaN HEMT损伤效应的影响
相关领域
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Lei Wang; Changchun Chai; Fu-Xing Li; Yingshuo Qin; Yintang Yang 出版日期：2022-08-01 |
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