Improved subthreshold swing of MoS2 negative-capacitance transistor by fluorine-plasma treatment on ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 gate dielectric

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标题	Improved subthreshold swing of MoS2 negative-capacitance transistor by fluorine-plasma treatment on ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 gate dielectric 氟等离子体处理铁电Hf0.5Zr 0.5 O2栅介质改善MoS2负电容晶体管的亚阈值摆幅相关领域材料科学电介质栅极电介质光电子学铁电性电容高-κ电介质电容器晶体管阈值电压阈下斜率兴奋剂电压
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6528/abe0e3
DOI	10.1088/1361-6528/abe0e3 doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Xinge Tao; Jing-Ping Xu; Lu Liu; Pui-To Lai 出版日期：2021-05-07
求助人	雷豪在 2025-03-03 17:15:54 发布自湖北，悬赏 10 积分
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