| 标题 |
 Effect of SiO2 intermediate layer on Al2O3/SiO2/n+-poly Si interface deposited using atomic layer deposition (ALD) for deep submicron device applications SiO2中间层对深亚微米器件原子层沉积Al2O3/SiO2/n+-poly Si界面的影响
相关领域
材料科学
原子层沉积
图层（电子）
电容器
兴奋剂
电容
氧化物
电介质
光电子学
缓冲氧化物腐蚀
硅
等效氧化层厚度
分析化学（期刊）
纳米技术
电压
栅氧化层
蚀刻（微加工）
电气工程
电极
冶金
晶体管
化学
物理化学
反应离子刻蚀
工程类
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Surface & Coatings Technology 作者：Won Suk Yang; Yeong Kwan Kim; Seung-Yeal Yang; Jin Hwak Choi; Heung Soo Park; et al 出版日期：2000-09-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
bc
HEIKU
Light
cdercder
Oracle
Xiaoxiao
MchemG
YifanWang
pcr163
YSM
斯寜
morena
H1998
Jenny
andong
自然的清涟
SYLH
pluto
Xin
典雅问寒
皖公网安备34019202002308
