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 Split-p-GaN Gate HEMT with Suppressed Negative V th Shift and Enhanced Robustness against False Turn-On 具有抑制负V th移位和增强抗假导通鲁棒性的分裂p-GaN栅极HEMT
相关领域
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宽禁带半导体
氮化镓
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物理
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纳米技术
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工程类
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基因
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yunhong Lao; Jin Wei; Maojun Wang; Jingjing Yu; Zetao Fan; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
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