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 Performance Improvement of InGaN Red Light‐Emitting Diode by Using V‐Pits Layer and Step‐Graded GaN Barrier V坑层和阶梯梯度GaN势垒对InGaN红光二极管性能的改善
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Chuanyu Jia; Chunliang Shen; Qi Wang 出版日期：2023-05-11 |
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