标题 |
Characteristics of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 dual-metal gate modulation-doped field-effect transistors simulated by TCAD
β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3双金属栅调制掺杂场效应晶体管的TCAD模拟
相关领域
跨导
场效应晶体管
光电子学
晶体管
材料科学
电场
调制(音乐)
消散
兴奋剂
工艺CAD
电气工程
化学
物理
工程类
电压
声学
生物化学
量子力学
计算机辅助设计
热力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of vacuum science and technology 作者:Xiaole Jia; Yibo Wang; Cizhe Fang; Bochang Li; Zheng‐Dong Luo; et al 出版日期:2024-04-16 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|