Characteristics of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 dual-metal gate modulation-doped field-effect transistors simulated by TCAD

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标题	Characteristics of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 dual-metal gate modulation-doped field-effect transistors simulated by TCAD β-（AlxGa1-x）2O3/Ga2O3双金属栅调制掺杂场效应晶体管的TCAD模拟相关领域跨导场效应晶体管光电子学晶体管材料科学电场调制（音乐）消散兴奋剂工艺CAD 电气工程化学物理工程类电压声学生物化学量子力学计算机辅助设计热力学
网址	https://doi.org/10.1116/6.0003502
DOI	10.1116/6.0003502 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：Xiaole Jia; Yibo Wang; Cizhe Fang; Bochang Li; Zheng‐Dong Luo; et al 出版日期：2024-04-16
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