| 标题 |
 Core Fluorination Enhances Solubility and Ambient Stability of an IDT‐Based n‐Type Semiconductor in Transistor Devices 核氟化增强了基于IDT的n型半导体在晶体管器件中的溶解度和环境稳定性
相关领域
溶解度
材料科学
密度泛函理论
氟
半导体
晶体管
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有机半导体
薄膜晶体管
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化学工程
光电子学
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化学物理
有机化学
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物理
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Thomas Hodsden; Karl J. Thorley; Julianna Panidi; Aniruddha Basu; Adam V. Marsh; et al 出版日期：2020-02-26 |
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