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 Reduction in operating voltage of AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diodes by controlling impurity concentrations 通过控制杂质浓度降低AlGaN同质结隧道结深紫外发光二极管的工作电压
相关领域
同质结
材料科学
光电子学
发光二极管
二极管
图层（电子）
兴奋剂
硅
紫外线
纳米技术
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期刊：Applied Physics Express 作者：Kengo Nagata; Hiroaki Makino; Hiroshi Miwa; Shinichi Matsui; Shinya Boyama; et al 出版日期：2021-06-29 |
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