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High performance InGaN double channel high electron mobility transistors with strong coupling effect between the channels
沟道间具有强耦合效应的高性能InGaN双沟道高电子迁移率晶体管
相关领域
跨导
材料科学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Yachao Zhang; Zhizhe Wang; Rui Guo; Liu Ge; Shengrui Xu; et al 出版日期:2018-12-03 |
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