Al-doped and Deposition Temperature-engineered HfO2 Near Morphotropic Phase Boundary with Record Dielectric Permittivity (~68)

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标题	Al-doped and Deposition Temperature-engineered HfO2 Near Morphotropic Phase Boundary with Record Dielectric Permittivity (~68) 具有记录介电常数（~68）的形态向相边界附近的Al掺杂和沉积温度工程HfO2 相关领域电介质相界介电常数兴奋剂材料科学相（物质）分析化学（期刊）物理光电子学化学有机化学量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720632
DOI	10.1109/iedm19574.2021.9720632 doi
其它	期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Jiuren Zhou; Zuopu Zhou; Leming Jiao; Xinke Wang; Yuye Kang; et al 出版日期：2021-12-11
求助人	Lijia_YAO 在 2024-12-25 19:36:56 发布自安徽，悬赏 10 积分
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