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  Highly Stable Electronics Based on β‐Ga2O3 for Advanced Memory Applications 基于β-Ga 2 O3的高稳定电子产品，用于高级存储器应用
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期刊：Advanced Science 作者：Xiaoxi Li; Yuchun Li; Yingguo Yang; Bitao Dong; Yuhang Liu; et al 出版日期：2025-02-05 |
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