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![]() 通过通道应力调制和材料优化缓解超高密度3D NAND闪存中的IR降
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期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Dong-Hyun Kim; Kihoon Nam; Jiyoon Kim; Jinsu Jeong; Sanguk Lee; et al 出版日期:2024-12-19 |
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