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Defect Analysis of MBE Reactor-Grown HgCdTe on Si, GaAs, GaSb, and CZT Substrates Through the TNL-Epigrow Simulator
通过TNL-Epigrow模拟器分析MBE反应器在Si、GaAs、GaSb和CZT衬底上生长的HgCdTe的缺陷
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网址
https://doi.org/10.1007/s11664-024-11082-0
DOI
10.1007/s11664-024-11082-0 doi
其它 期刊：Journal of Electronic Materials
作者：P. Saxena; Pankaj Srivastava; Anshika Srivastava
出版日期：2024-04-22
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都是 在 2025-03-10 08:32:35 发布自河南，悬赏 10 积分
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