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The Device and Circuit Level Benchmark of Si-Based Cold Source FETs for Future Logic Technology
面向未来逻辑技术的硅基冷源场效应晶体管器件和电路级基准
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Guodong Qi; Weizhuo Gan; Lijun Xu; Jiangtao Liu; Qihang Yang; et al 出版日期:2022-06-01 |
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