Characterization of photoluminescence intensity and efficiency of free excitons in semiconductor quantum well structures

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标题	Characterization of photoluminescence intensity and efficiency of free excitons in semiconductor quantum well structures 半导体量子阱结构中自由激子光致发光强度和效率的表征相关领域光致发光激子激发强度（物理）量子阱光致发光激发材料科学比克西顿凝聚态物理半导体格子（音乐）宽禁带半导体分子物理学光电子学化学物理光学激光器量子力学声学
网址	https://doi.org/10.1063/1.365689
DOI	10.1063/1.365689 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：S. R. Jin; Yujun Zheng; Aizhen Li 出版日期：1997-10-15
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