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 Vertical β-Ga2O3 metal–insulator–semiconductor diodes with an ultrathin boron nitride interlayer 具有超薄氮化硼夹层的垂直β-Ga2O3金属——绝缘体——半导体二极管
相关领域
材料科学
光电子学
二极管
肖特基二极管
拉曼光谱
氮化硼
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Mingfei Xu; Abhijit Biswas; Tao Li; Ziyi He; S. Luo; et al 出版日期：2023-12-04 |
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