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 Set/Reset Bilaterally Controllable Resistance Switching Ga‐doped Ge2Sb2Te5 Long‐Term Electronic Synapses for Neuromorphic Computing 用于神经形态计算的双侧可控电阻开关Ga掺杂Ge2Sb2Te5长时电子突触的设置/复位
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
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工程类
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Qiang Wang; Ren Luo; Yankun Wang; Wencheng Fang; Luyue Jiang; et al 出版日期：2023-03-01 |
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