A 9-Mb HZO-Based Embedded FeRAM With 10-Cycle Endurance and 5/7-ns Read/Write Using ECC-Assisted Data Refresh and Offset-Canceled Sense Amplifier

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标题	A 9-Mb HZO-Based Embedded FeRAM With 10-Cycle Endurance and 5/7-ns Read/Write Using ECC-Assisted Data Refresh and Offset-Canceled Sense Amplifier 基于9MB HZO的嵌入式FeRAM，具有10周期耐久性和5/7-ns读/写，使用ECC辅助数据刷新和偏移消除读出放大器相关领域锡计算机科学算法材料科学冶金
网址	https://doi.org/10.1109/jssc.2023.3320659
DOI	10.1109/jssc.2023.3320659 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Qiqiao Wu; Yue Cao; Qing Luo; Haijun Jiang; Zhongze Han; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	忐忑的猪在 2024-07-24 11:10:05 发布自广东，悬赏 10 积分
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