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Total ionizing dose effects of 60Co-γ ray radiation on SiC MOSFETs with different gate oxide thickness
60Co-γ射线辐射对不同栅氧化层厚度SiC MOSFETs总电离剂量的影响
相关领域
材料科学
栅氧化层
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期刊:Radiation Effects and Defects in Solids 作者:Haonan Feng; Xiaowen Liang; Jing Sun; Jie Feng; Ying Wei; et al 出版日期:2023-08-03 |
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