标题 |
Growth of Semipolar (11bar 22) GaN Layer by Controlling Anisotropic Growth Rates in r-Plane Patterned Sapphire Substrate
通过控制r面图案蓝宝石基片中各向异性生长速率生长半极(11 bar 22)Gap层
|
网址 | |
DOI |
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
|
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |