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Precursor-dependent resistive switching properties of nanostructured g-C3N4: statistical and experimental investigations
纳米结构g-C3N4的前驱体相关电阻开关特性:统计和实验研究
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材料科学
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期刊:Journal of materials science. Materials in electronics 作者:Snehal L. Patil; R.S. Redekar; Omkar Y. Pawar; Somnath S. Kundale; Santosh S. Sutar; et al 出版日期:2023-01-01 |
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