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 Gate dielectric scaling in MOSFETs device MOSFETs器件中的栅极介质缩放
相关领域
材料科学
栅极电介质
栅氧化层
MOSFET
光电子学
金属浇口
泄漏（经济）
晶体管
电介质
硅
随时间变化的栅氧化层击穿
铁电性
二氧化硅
缩放比例
场效应晶体管
高-κ电介质
量子隧道
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数学
冶金
经济
宏观经济学
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期刊：AIP conference proceedings 作者：Kaiyuan Jing; M. K. Md Arshad; A. R. N. Huda; A. Rahim Ruslinda; Subash C. B. Gopinath; et al 出版日期：2016-01-01 |
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