| 标题 |
 InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes InGaN基多量子阱结构激光二极管
相关领域
光电子学
材料科学
激光器
化学气相沉积
二极管
蓝宝石
量子阱
氮化物
量子阱激光器
蚀刻（微加工）
波长
金属有机气相外延
半导体激光器理论
活动层
发光二极管
激光二极管
半导体
电流密度
图层（电子）
光学
量子点激光器
外延
纳米技术
物理
量子力学
薄膜晶体管
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Shuji Nakamura; Masayuki Senoh; Shin–ichi Nagahama; Naruhito Iwasa; Takehiro Yamada; et al 出版日期：1996-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
有人
iNk
肯德鸭
8R60d8
寻道图强
浅尝离白
itsserene
Estrella
Henry
LY
乐乐乐乐乐乐
Singularity
HEIKU
pcr163
丰盛的煎饼
王灿灿
tuanheqi
竹筏过海
gaogao
皖公网安备34019202002308
