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 Effect of PECVD Gate SiO2 Thickness on the Poly-Si/SiO2 Interface in Low-Temperature Polycrystalline Silicon TFTs PECVD栅SiO2厚度对低温多晶硅tft中Poly-Si/SiO2界面的影响
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期刊：Journal of Electrical Engineering & Technology 作者：Jungmin Park; Pyungho Choi; Soonkon Kim; Bohyeon Jeon; Jongyoon Lee; et al 出版日期：2021-03-01 |
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