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 Pure-Metal Replacement Gate for Reliable 30 nm Pitch Scaled 3D NAND Flash 用于可靠的30 nm间距缩放3D NAND闪存的纯金属替代栅极
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期刊： 作者：S. Rachidi; S. Ramesh; Davide Tierno; Gabriele Luca Donadio; Antoine Pacco; et al 出版日期：2024-05-12 |
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