Hall mobility in tin iodide perovskite CH3NH3SnI3: Evidence for a doped semiconductor

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标题	Hall mobility in tin iodide perovskite CH3NH3SnI3: Evidence for a doped semiconductor 碘化锡钙钛矿CH3NH3SnI3中的霍尔迁移率：掺杂半导体的证据相关领域兴奋剂半导体钙钛矿（结构）霍尔效应凝聚态物理电阻率和电导率价（化学）材料科学电子空穴卤化物化学计量学电导率化学锡电子迁移率无机化学电子结晶学光电子学物理化学物理量子力学有机化学冶金
网址	https://doi.org/10.1016/j.jssc.2013.07.008
DOI	10.1016/j.jssc.2013.07.008 doi
其它	期刊：Journal of Solid State Chemistry 作者：Yukari Takahashi; Hiroyuki Hasegawa; Yukihiro Takahashi; Tamotsu Inabe 出版日期：2013-09-01
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